В отрасли постепенно происходит переход к процессам «напыления»; однако не все методы напыления одинаково эффективны. Исследователи все чаще ищут решение, которое позволило бы достичь «наноразмерной однородности», избегая при этом проблем агломерации частиц и потерь материала, часто связанных с традиционными пневматическими форсунками.
1. Проблемы точности в материаловедении: В области исследований перспективных материалов, особенно широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), кристаллическая ориентация имеет решающее значение. Даже отклонение всего на 0,1 градуса может привести к значительным колебаниям подвижности электронов, теплопроводности и качества эпитаксиального роста.
В области материаловедения и металлографии точность микроструктур, наблюдаемых под микроскопом, полностью зависит от качества предварительной подготовки образца. Хотя традиционная шлифовка наждачной бумагой и механическая полировка широко применяются, они часто приводят к существенному недостатку: механически деформированному слою.