Какие факторы влияют на высоковакуумное магнетронное распыление?

На основе базового магнетронного распыления вводятся среда высокого вакуума и роста высокой температуры, а плазменная технология объединяется для повышения эффективности реакции реактивного осаждения, чтобы реализовать эпитаксию пленки магнетронного распыления. Пленка, полученная в условиях высокого вакуума, имеет лучшую ориентацию решетки и более выдающиеся кристаллические свойства. Она имеет широкий спектр применения в сверхпроводящих квантовых, сегнетоэлектрических материалах, пьезоэлектрических материалах, термоэлектрических материалах и других областях. Состояние высокого вакуума помогает уменьшить влияние примесей и гарантировать, что распыленные частицы не будут реагировать неблагоприятно с другими газами во время процесса осаждения.

2025/03/20

Получить последнюю цену? Мы ответим как можно скорее (в течение 12 часов)

имя : This field is required

Телефон : This field is required

*почтовый ящик : Required and valid email address

компания : This field is required

*сообщение : This field is required

Политика конфиденциальности

Hовости