Внутренняя страница

Hовости

Как устранить вторичные ошибки зажима при точной ориентации и резке кристаллов?

1. Проблемы точности в материаловедении: В области исследований перспективных материалов, особенно широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), кристаллическая ориентация имеет решающее значение. Даже отклонение всего на 0,1 градуса может привести к значительным колебаниям подвижности электронов, теплопроводности и качества эпитаксиального роста.

2026/04/20
Читать Далее
Получить последнюю цену? Мы ответим как можно скорее (в течение 12 часов)
This field is required
This field is required
Required and valid email address
This field is required
This field is required
For a better browsing experience, we recommend that you use Chrome, Firefox, Safari and Edge browsers.