- Пила для резки и нарезки кубиками
-
Шлифовально-полировальная машина
- Прецизионный шлифовально-полировальный станок
- Автоматическая машина для шлифовки и полировки под давлением
- Автоматическая система металлографической шлифовки и полировки
- Вибрационная полировальная машина
- Вспомогательное устройство для шлифовки и полировки
- Принадлежности для шлифовальных и полировальных станков
- Расходные материалы для шлифовальных и полировальных станков
- Машина для электролитической полировки и травления
-
Машина для нанесения пленки
- Погружной коатер
- Устройство для нанесения пленки Доктор-Лезвие
- Спин-коатер
- Электропрядение
- Ультразвуковая установка для нанесения покрытий методом распыления
- Устройство для нанесения покрытий с магнетронным напылением
- Испарительный коатер
- Система химического осаждения из газовой фазы с плазменным усилением
- Система плавления
- Плазменный очиститель
- Лабораторная мельница и миксер
- Лабораторный пресс
- Инструменты для тестирования и анализа
Как наносить покрытие на кремниевые пластины с помощью термостатического нанометрового устройства для нанесения покрытий погружением ПТЛ-НМБ?
В современных исследованиях материалов и производстве полупроводников решающее значение имеют технологии подготовки и покрытия тонких пленок. Особенно в области тонкопленочных покрытий с нанометровой точностью, ПТЛ-НМБТермостатическая установка для нанесения покрытий методом погружения с нанометровым разрешением, как прецизионное оборудование, стало важным инструментом в исследовательских и промышленных приложениях. В этой статье подробно описывается, как использовать нанометровый съемник ПТЛ-НМБ для покрытия кремниевых пластин.
Основная цель этого эксперимента — использоватьТермостатическая установка для нанесения покрытий методом погружения с нанометровым разрешением для покрытия кремниевых пластин с обеих сторон и наблюдения за осаждением тонких пленок на поверхности кремниевых пластин. Как важный субстрат в исследованиях полупроводников, качество поверхностного покрытия кремниевых пластин напрямую влияет на последующий эффект процесса. Поэтому использование точно контролируемых методов нанесения покрытия, таких как нанометровый тянуть покрасочная машина, может сделать покрытие равномерным и точным.
Экспериментальные этапы:
1. Очистка кремниевой пластины:
Перед началом эксперимента кремниевую пластину необходимо тщательно очистить. Замочите кремниевую пластину в деионизированной воде, чтобы поверхность образца была свободна от внешних загрязнений. Затем удалите пятна от воды ацетоном, тщательно очистите ее деионизированной водой и используйте плазменный очиститель ПСЕ-6V для плазменного травления кремниевой пластины в течение 10 минут. После травления кремниевая пластина не должна находиться на воздухе более 30 минут, в противном случае состояние поверхности может ухудшиться и повлиять на адгезию пленки.
2. Настройка параметров:
Налейте жидкий материал в 150-миллилитровую чашку для материала и установите кремниевую пластину на приспособление для образца, чтобы подготовиться к покрытию. В ходе эксперимента кремниевая пластина сначала полностью погружается в раствор. Затем скорость вытягивания устанавливается на 100 нм/с, а высота вытягивания устанавливается на 50 мм на термостатическом устройстве для нанесения покрытия с нанометровым уровнем. Согласно расчетам, весь процесс вытягивания занимает около 139 часов.
3. Процесс нанесения покрытия:
В процессе нанесения покрытия кремниевая пластина контролируется пуллером, и раствор постепенно вытягивается с поверхности подложки, образуя равномерную пленку. Поскольку рабочая скорость пуллера очень мала, процесс осаждения пленки очень стабилен, и пленка, в конечном итоге нанесенная на поверхность кремниевой пластины, имеет хорошую однородность и консистенцию.
ИспользуяТермостатическая установка для нанесения покрытий методом погружения с нанометровым разрешением, исследователи могут точно покрывать поверхность кремниевой пластины с обеих сторон и контролировать толщину и качество пленки. Экспериментальные результаты показывают, что в процессе покрытия осаждение пленки происходит равномерно и соответствует требованиям точности нанометрового уровня, что делает ее пригодной для исследований полупроводников и наноматериалов.